1947年：貝爾實驗室肖特萊等人發(fā)明了晶體管，這是微電子技術發(fā)展中第一個里程碑；

 集成電路

1950年：結(jié)型晶體管誕生

　　1950年： R Ohl和肖特萊發(fā)明了離子注入工藝

　　1951年：場效應晶體管發(fā)明

　　1956年：C S Fuller發(fā)明了擴散工藝

　　1958年：仙童公司Robert Noyce與德儀公司基爾比間隔數(shù)月分別發(fā)明了集成電路，開創(chuàng)了世界微電子學的歷史；

　　1960年：H H Loor和E Castellani發(fā)明了光刻工藝

　　1962年：美國RCA公司研制出MOS場效應晶體管

　　1963年：F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技術，今天，95%以上的集成電路芯片都是基于CMOS工藝

　　1964年：Intel摩爾提出摩爾定律，預測晶體管集成度將會每18個月增加1倍

　　1966年：美國RCA公司研制出CMOS集成電路，并研制出第一塊門陣列（50門）

　　1967年：應用材料公司（Applied Materials）成立，現(xiàn)已成為全球最大的半導體設備制造公司

　　1971年：Intel推出1kb動態(tài)隨機存儲器（DRAM），標志著大規(guī)模集成電路出現(xiàn)

　　1971年：全球第一個微處理器4004由Intel公司推出，采用的是MOS工藝，這是一個里程碑式的發(fā)明

　　1974年：RCA公司推出第一個CMOS微處理器1802

　　1976年：16kb DRAM和4kb SRAM問世

　　1978年：64kb動態(tài)隨機存儲器誕生，不足0.5平方厘米的硅片上集成了14萬個晶體管，標志著超大規(guī)模集成電路（VLSI）時代的來臨

　　1979年：Intel推出5MHz 8088微處理器，之后，IBM基于8088推出全球第一臺PC

　　1981年：256kb DRAM和64kb CMOS SRAM問世

　　1984年：日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM

　　1985年：80386微處理器問世，20MHz

　　1988年：16M DRAM問世，1平方厘米大小的硅片上集成有3500萬個晶體管，標志著進入超大規(guī)模集成電路（VLSI）階段

　　1989年：1Mb DRAM進入市場

　　1989年：486微處理器推出，25MHz，1μm工藝，后來50MHz芯片采用 0.8μm工藝

　　1992年：64M位隨機存儲器問世

　　1993年：66MHz奔騰處理器推出，采用0.6μm工藝

　　1995年：Pentium Pro, 133MHz，采用0.6-0.35μm工藝；

集成電路

1997年：300MHz奔騰Ⅱ問世，采用0.25μm工藝

　　1999年：奔騰Ⅲ問世，450MHz，采用0.25μm工藝，后采用0.18μm工藝

　　2000年：1Gb RAM投放市場

　　2000年：奔騰4問世，1.5GHz，采用0.18μm工藝

　　2001年：Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工藝。

　　2003年：奔騰4 E系列推出，采用90nm工藝。

　　2005年：intel 酷睿2系列上市，采用65nm工藝。

　　2007年：基于全新45納米High-K工藝的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。

　　2009年：intel酷睿i系列全新推出，創(chuàng)紀錄采用了領先的32納米工藝，并且下一代22納米工藝正在研發(fā)。

    我國集成電路發(fā)展歷史

　　我國集成電路產(chǎn)業(yè)誕生于六十年代，共經(jīng)歷了三個發(fā)展階段：

　　1965年-1978年：以計算機和軍工配套為目標，以開發(fā)邏輯電路為主要產(chǎn)品，初步建立集成電路工業(yè)基礎及相關設備、儀器、材料的配套條件

　　1978年-1990年：主要引進美國二手設備，改善集成電路裝備水平，在“治散治亂”的同時，以消費類整機作為配套重點，較好地解決了彩電集成電路的國產(chǎn)化

　　1990年-2000年：以908工程、909工程為重點，以CAD為突破口，抓好科技攻關和北方科研開發(fā)基地的建設，為信息產(chǎn)業(yè)服務，集成電路行業(yè)取得了新的發(fā)展。

    檢測常識

　　1、檢測前要了解集成電路及其相關電路的工作原理

　　檢查和修理集成電路前首先要熟悉所用集成電路的功能、內(nèi)部電路、主要電氣參數(shù)、各引腳的作用以及引腳的正常電壓、波形與外圍元件組成電路的工作原理。如果具備以上條件，那么分析和檢查會容易許多。

　　2、測試不要造成引腳間短路

　　電壓測量或用示波器探頭測試波形時，表筆或探頭不要由于滑動而造成集成電路引腳間短路，最好在與引腳直接連通的外圍印刷電路上進行測量。任何瞬間的短路都容易損壞集成電路，在測試扁平型封裝的CMOS集成電路時更要加倍小心。

　　3、嚴禁在無隔離變壓器的情況下，用已接地的測試設備去接觸底板帶電的電視、音響、錄像等設備

　　嚴禁用外殼已接地的儀器設備直接測試無電源隔離變壓器的電視、音響、錄像等設備。雖然一般的收錄機都具有電源變壓器，當接觸到較特殊的尤其是輸出功率較大或?qū)Σ捎玫碾娫葱再|(zhì)不太了解的電視或音響設備時，首先要弄清該機底盤是否帶電，否則極易與底板帶電的電視、音響等設備造成電源短路，波及集成電路，造成故障的進一步擴大。

　　4、要注意電烙鐵的絕緣性能

　　不允許帶電使用烙鐵焊接，要確認烙鐵不帶電，最好把烙鐵的外殼接地，對MOS電路更應小心，能采用6~8V的低壓電烙鐵就更安全。

　　5、要保證焊接質(zhì)量

　　焊接時確實焊牢，焊錫的堆積、氣孔容易造成虛焊。焊接時間一般不超過3秒鐘，烙鐵的功率應用內(nèi)熱式25W左右。已焊接好的集成電路要仔細查看，最好用歐姆表測量各引腳間有否短路，確認無焊錫粘連現(xiàn)象再接通電源。

　　6、不要輕易斷定集成電路的損壞

　　不要輕易地判斷集成電路已損壞。因為集成電路絕大多數(shù)為直接耦合，一旦某一電路不正常，可能會導致多處電壓變化，而這些變化不一定是集成電路損壞引起的，另外在有些情況下測得各引腳電壓與正常值相符或接近時，也不一定都能說明集成電路就是好的。因為有些軟故障不會引起直流電壓的變化。

　　7、測試儀表內(nèi)阻要大

　　測量集成電路引腳直流電壓時，應選用表頭內(nèi)阻大于20KΩ/V的萬用表，否則對某些引腳電壓會有較大的測量誤差。

　　8、要注意功率集成電路的散熱

　　功率集成電路應散熱良好，不允許不帶散熱器而處于大功率的狀態(tài)下工作。

　　9、引線要合理

　　如需要加接外圍元件代替集成電路內(nèi)部已損壞部分，應選用小型元器件，且接線要合理以免造成不必要的寄生耦合，尤其是要處理好音頻功放集成電路和前置放大電路之間的接地端。